Ученые нашли способ в разы сократить энергопотребление компьютерной памяти

Материал подготовлен искусственным интеллектом на основе нескольких источников — ссылки на оригиналы приведены ниже.
Исследователи под руководством Элтона Сантоса из Эдинбургского университета разработали метод переключения ячеек магнитной памяти, затрачивая значительно меньше энергии, чем современные технологии, приближаясь к пределу Ландауэра. Работа опубликована в журнале Advanced Materials. Подход использует теорию оптимального управления для формирования магнитных импульсов и может снизить энергопотребление на несколько порядков по сравнению с DRAM, STT-MRAM и SOT-MRAM.
Ключевые факты
- Исследование опубликовано в журнале Advanced Materials.
- Метод основан на теории оптимального управления для расчета идеальной формы магнитного импульса.
- Энергопотребление может быть снижено на несколько порядков по сравнению с DRAM, STT-MRAM и SOT-MRAM.
- Подход работает с магнитными полями, электрическими токами и сверхбыстрыми лазерными импульсами.
Исследование
Исследователи под руководством Элтона Сантоса из Эдинбургского университета применили теорию оптимального управления для расчета идеальной формы магнитного импульса. Работа опубликована в журнале Advanced Materials. Команда обнаружила, что тщательное проектирование изменения магнитного поля во времени позволяет переключать намагниченность гораздо эффективнее, чем при обычных подходах.
Экономия энергии
Новый метод может снизить энергопотребление на несколько порядков по сравнению с DRAM, STT-MRAM и SOT-MRAM. Подход приближается к пределу Ландауэра — минимальной энергии, необходимой по законам термодинамики для обработки одного бита. Метод универсален и работает с магнитными полями, электрическими токами и сверхбыстрыми лазерными импульсами.
Последствия
Авторы утверждают, что подход открывает путь к принципиально более энергоэффективной электронике. Это особенно важно на фоне быстрого роста центров обработки данных и искусственного интеллекта, которые потребляют огромное количество энергии на операции с памятью.