Анализ узла SMIC N+3 показывает рост плотности, но отставание от Intel и TSMC
Материал подготовлен искусственным интеллектом на основе нескольких источников — ссылки на оригиналы приведены ниже.
Анализ SoC Kirin 9030 от Huawei показывает, что третий узел SMIC класса 7 нм N+3 достигает плотности транзисторов 113,4 млн на квадратный миллиметр, превосходя TSMC N6. Однако производительность чипа сопоставима с флагманскими процессорами трехлетней давности, а энергоэффективность значительно уступает современным разработкам Apple, Qualcomm и других.
Достижение плотности
Анализ Kirin 9030 от SemiAnalysis показывает, что узел SMIC N+3 имеет минимальный шаг металла 32,5 нм, что меньше ~36 нм в процессоре Intel Panther Lake. Оценочная плотность транзисторов 113,4 млн/мм² превышает TSMC N6 (107,7 млн/мм²), использующий несколько слоев EUV. SMIC достигает этого за счет мультипаттернирования DUV, включая самовыравнивающееся четверное паттернирование, и обширной DTCO.
Ограничения производительности
Несмотря на рост плотности, Kirin 9030 обеспечивает производительность на уровне флагманских процессоров трехлетней давности. Самый производительный CPU-кластер Huawei характеризуется как Cortex-X2 по IPC, в то время как значительно меньшие эффективные ядра Apple превосходят его в целочисленных задачах и потребляют меньше энергии. Чип имеет существенное отставание по энергоэффективности от современных разработок Apple, Qualcomm, MediaTek и Samsung.
Сравнение с Intel 18A
Хотя SMIC N+3 имеет минимальный шаг металла 32,5 нм, что номинально меньше ~36 нм в Panther Lake, Intel 18A поддерживает шаг около 32 нм и обеспечивает более высокую плотность транзисторов и значительно лучшую энергоэффективность. SemiAnalysis отмечает, что другие ключевые метрики, такие как contacted gate pitch, высота стандартной ячейки и fin pitch, не раскрыты, что не позволяет провести полное сравнение. Провокационное сравнение с Intel 18A не оправдано из-за отсутствия у Kirin 9030 лидерства в производительности или эффективности.
Что дальше
Дальнейшие анализы будущих чипов SMIC могут раскрыть дополнительные характеристики узла, такие как contacted gate pitch и fin pitch. Остается неясным, сможет ли SMIC преодолеть проблемы выхода годных и стоимости, чтобы сделать N+3 коммерчески жизнеспособным для высокопроизводительных приложений.
1 источник
Анализ узла SMIC N+3 показывает рост плотности, но отставание от Intel и TSMC
