Nature: Инкапсуляциялық эпитаксия әдісімен ауада тұрақты NbSe2 монослойлары алынды
Материал бірнеше дереккөз негізінде жасанды интеллектпен дайындалды — түпнұсқаларға сілтемелер төменде.
Nature журналында жарияланған зерттеу инкапсуляциялық эпитаксия әдісімен алғаш рет ауада тұрақты ниобий диселениді (NbSe2) монослойларын ауқымды синтездеу туралы хабарлайды. Қабықшалар ~1 К температурада асқын өткізгіштік көрсетеді және 177 К-де күшейтілген заряд тығыздығы толқындарына ие, сондай-ақ олар өлшенген кинетикалық индуктивтілігі 0,7 нГн/□ болатын асқын өткізгіш кванттық тізбектерге сәтті интеграцияланды.
Инкапсуляциялық эпитаксия
Әдіс алдын ала екі өлшемді инкапсуляциялаушы қабатты (графен немесе гексагональды нитрид боры) SiO₂ немесе Si₃N₄ сияқты үш өлшемді төсенішке жағудан тұрады. Содан кейін NbSe₂ монослойы инкапсулятор мен төсеніш арасындағы шекарада эпитаксиалды түрде өседі, инкапсулятор әрі үлгі, әрі қорғаныш қаптамасы қызметін атқарады. Алынған үлдірлердің латеральді өлшемі 1 дюймден асады және ауада тотығуға төзімді, бұл 2D асқын өткізгіштерді синтездеудің негізгі мәселесін шешеді.
Асқын өткізгіштік қасиеттері
Графен/NbSe₂ гетероқұрылымдары сыни температурасы T_c шамамен 1 К болатын асқын өткізгіштік көрсетеді. Заряд тығыздығы толқыны күйіне ауысу T_CDW ≈ 177 К кезінде байқалады, бұл көлемді NbSe₂-мен салыстырғанда айтарлықтай жоғары. Үлдірлер ашық ауада тұрақтылығын сақтайды, бұл сипаттау және құрылғыларды инертті ортадан тыс жасауға мүмкіндік береді.
Кванттық тізбектерге интеграция
Зерттеушілер NbSe₂ монослойын компланарлы толқынөткізгіш резонаторларға қосу үшін оттегісіз тасымалдау әдістерін және асқын өткізгіш шеткі контактілерді әзірледі. Өлшенген кинетикалық индуктивтілік шамамен 0,7 нГн/□ құрады, бұл материалды жинақы кванттық құрылғыларда шоғырланған элементтермен пайдалануға жарамды етеді. Нәтижелер ауада тұрақты 2D материалдарды пайдаланып, масштабталатын монолитті асқын өткізгіш кванттық сұлбалар өндірісіне жол ашады.
1 дереккөз
Уақыт · артта қалуы