CXMT построит в Пекине линию разработки флеш-памяти NAND
Материал подготовлен искусственным интеллектом на основе нескольких источников — ссылки на оригиналы приведены ниже.
Китайский производитель памяти CXMT планирует создать линию разработки флеш-памяти NAND на новом предприятии в Пекине, сообщило Reuters. Этот шаг усилит конкуренцию с YMTC, Samsung и Micron на фоне глобального дефицита памяти.
Ключевые факты
- CXMT планирует создать линию разработки флеш-памяти NAND на новом заводе в Пекине, сообщает Reuters.
- Инициатива поставит CXMT в прямую конкуренцию с YMTC, Samsung и Micron на рынке NAND.
- Глава SK hynix Квак Но-джун заявил в июле, что 2027 год может стать худшим для поставок памяти.
- TrendForce ожидает улучшения доступности NAND только во второй половине 2027 года.
- YMTC уже отправила клиентам образцы LPDDR, вторгаясь в сегмент DRAM компании CXMT.
Пекинский завод NAND
CXMT установит опытную линию по производству NAND на новом заводе в Пекине, сообщают источники Reuters. Исследовательский центр в китайской столице займётся разработкой сопутствующих технологий наряду с другими проектами CXMT. Компания обсудила планы по выпуску NAND как минимум с одним стартапом и другими потенциальными клиентами. Сроки перехода от экспериментов к полномасштабному производству не раскрываются.
Конкуренция на рынке
Этот шаг расширит деятельность CXMT за пределы DRAM в сегмент NAND, где доминируют Samsung, Micron и YMTC. YMTC уже вторглась в сегмент DRAM компании CXMT, отправив клиентам образцы LPDDR в апреле. Обе компании также стремятся наладить выпуск HBM для ускорителей ИИ.
Глобальный дефицит памяти
Высокий спрос со стороны дата-центров ИИ создал глобальный дефицит памяти, который, как ожидается, сохранится до 2027 года. Глава SK hynix Квак Но-джун заявил в июле, что 2027 год может стать худшим для поставок. TrendForce прогнозирует, что доступность NAND начнёт улучшаться только во второй половине 2027 года. Производители перераспределяют ресурсы в пользу DRAM и HBM, сокращая выпуск NAND и повышая цены.
7 источников
Время · отставание