Скрученный ультратонкий магнит сохраняет намагниченность после изменения поля
Материал подготовлен искусственным интеллектом на основе нескольких источников — ссылки на оригиналы приведены ниже.
Международная группа под руководством ТУ Дармштадт обнаружила, что скручивание двух атомных монослоев изменяет свойства ультратонких магнитов, позволяя сохранять намагниченность после изменения внешнего поля. Исследование, опубликованное в Nature Communications, открывает перспективы для будущих устройств памяти. Эффект может обеспечить более стабильное хранение данных с меньшим энергопотреблением.
Открытие
Исследователи скрутили два атомных монослоя на небольшой угол, создав муаровый узор, который стабилизировал магнитные домены. Ультратонкий магнит сохранял намагниченность даже после удаления или изменения внешнего магнитного поля. Такое поведение отличается от обычных магнитов, теряющих намагниченность без внешнего поля.
Перспективы для устройств памяти
Результаты указывают на новый механизм энергонезависимой памяти, где данные хранятся в магнитных состояниях без постоянного питания. Скрученная структура может обеспечить более плотное и энергоэффективное хранение по сравнению с текущими технологиями. Команда продемонстрировала эффект при комнатной температуре, что является ключевым требованием для практического применения.
Что дальше
Команда планирует изучить различные углы скручивания и материалы для оптимизации эффекта. Остаётся неясным, можно ли масштабировать подход до коммерческого производства или интегрировать с существующими полупроводниковыми процессами.
1 источник
Скрученный ультратонкий магнит сохраняет намагниченность после изменения поля
