Naura EUV-сіз 3D DRAM үшін оюда серпіліс жасағанын мәлімдейді
Материал бірнеше дереккөз негізінде жасанды интеллектпен дайындалды — түпнұсқаларға сілтемелер төменде.
Қытайлық Naura Technology Group 3D DRAM өндірісіне арналған екі сатылы ою процесін жасағанын мәлімдеді, бұл CXMT-ке EUV санкцияларын айналып өтуге мүмкіндік беруі ықтимал. Компания кремний мен кремний-германийдің 64 жұп қабатын біркелкі оюға қол жеткізгенін хабарлайды. IEEE журналында жарияланған мәлімдеме тәуелсіз расталмаған.
Негізгі фактілер
- Naura Technology Group 3D DRAM өндірісіне арналған екі сатылы ою процесін жасағанын мәлімдейді.
- Процесс кремний мен кремний-германийдің 64 жұп қабатын біркелкі оюды қамтамасыз етеді деп хабарланады.
- Батыс санкциялары Қытайға озық EUV-литография машиналарын сатуды шектейді.
- Huawei бұған дейін чиптерді тік орналастыруға арналған LogicFolding архитектурасы бар Tau Scaling технологиясын жариялаған.
Ою процесі туралы мәлімдеме
Қытайлық жартылай өткізгіш жабдық өндірушісі Naura Technology Group 3D DRAM чиптеріне арналған екі сатылы ою процесін жасағанын мәлімдейді. Процесс кремний мен кремний-германийдің кезектесетін 64 қабатын біркелкі оюға бағытталған. Кремний-германий қабаттары канал қабатында сөз жолдары, бит жолдары және ысырмалар үшін кеңістік жасау мақсатында жойылады. Naura бұл әдіс көрші кремний қабаттарының химиялық зақымдануы және стек түбінде жанама өнімдердің жиналуы сияқты дәстүрлі шектеулерді еңсереді деп мәлімдейді.
Санкциялар және тік өндіріс
Батыс санкциялары Қытайға озық EUV-литография машиналарын сатуды шектейді. Қытайлық чип әзірлеушілер EUV шектеулерін айналып өту үшін жартылай өткізгіштерді тік өндіруге көбірек көңіл бөлуде. Huawei бұған дейін логикалық схемаларды тігінен бүктейтін LogicFolding архитектурасы бар Tau Scaling технологиясын жариялаған. Huawei тәсілі 2031 жылға қарай EUV-сіз 1,4 нанометрлік чиптерге баламалы өнімділікке қол жеткізуді көздейді.
1 дереккөз
Уақыт · артта қалуы